安建科技有限公司 (JSAB Technologies Limited) 是一家专门从事功率半导体元器件产品设计、研发及销售的高科技公司, 拥有由香港科技大学教授、大中华区唯一一位从事硅基功率半导体研究的美国电子电气工程师学会院士(IEEE Fellow)所领衔的业内顶尖技术团队,在2020年中国创新创业大赛中荣获全国赛优秀企业奖、广东省分赛区“新一代信息技术”产业大类第四名。
安建科技现有低电压的SGT-MOSFET(分裂栅金属氧化物场效应晶体管)、高电压的SJ-MOSFET(超结金属氧化物场效应晶体管)、Field Stop Trench IGBT(绝缘栅双极晶体管)三条成熟的产品线。高电压产品主要应用于高铁、电动汽车、新能源、工业控制等领域;低电压产品主要应用于5G基站、电能转换、绿色家电、消费电子等领域,安建科技的功率芯片得到了国内多家应用客户的认可,目前已经在众多领域稳定运行。
多年来,安建致力于成为大中华区技术上最顶尖的功率半导体元器件企业,专注功率半导体器件的研发设计销售,在坚持为社会创造长期价值的同时,安建也坚定不移地追求增长,努力不懈地推动创新,积极地应对每一个挑战。
创始人背景:
加拿大多伦多大学电机工程学学士、硕士及博士
香港科技大学电子与计算机工程学系教授
美国电子电气工程师学会院士(IEEE Fellow)
主要荣誉:
2012年被授予美国电子电气工程师学会院士(IEEE Fellow),是大中华区唯一从事硅基功率半导体行业的IEEE Fellow。
2015年荣选业内最顶级功率半导体峰会-国际功率半导体器件与功率集成电路会议 (ISPSD) 主席,是该峰会自举办以来的第一位来自大中华地区的主席。
2020年荣选国际功率半导体器件与功率集成电路会议 (ISPSD) 全球名人堂,是本次入选该名人堂的仅有的三位业内最顶尖学者之一。(另外两位学者分别为英飞凌IGBT研发总监Thomas Laska博士,与科锐 (Cree) 创始人John Palmour博士)。