新品推介-安建半导体SiC MOSFET

JSAB安建科技 JSAB安建科技 2024-01-19 12 285
产品介绍

安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET,通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性,在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片,产能充裕,供应稳定,性价比高。

产品特点

  ● 开关速度快

  ● 栅极电荷低

  ● 雪崩耐量高

  ● 短路能力强

  ● 可靠性高

应用领域

  ● 电动汽车

  ● 太阳能逆变器

  ● 储能系统

  ● 不间断电源

产品性能

安建半导体对此款自研SiC MOSFET产品做了动静态、短路、雪崩耐量(UIS),可靠性等测试,性能参数与国际竞品相当。雪崩耐量为国际知名品牌同规格产品的200%,在短路时间3us下可安全关断800A电流。此外,该款芯片已通过1000h可靠性考核。


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静态输出特性:


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开关波形:

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UIS波形:


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安建半导体1200V-17mΩ SiC MOSFET具备如下优异性能:

● 通过设计上的优化,确保具有稳定的击穿特性,增强UIS能力。

● 在短路时间3us下安全关断800A电流。

● 已通过国际最高标准的1000小时HTRB、HTGBHV-H3TRB等可靠性考核。

安建半导体即将推出兼容国际一线品牌封装的SiC模块,敬请期待!

安建半导体致力于为客户提供国际一流、国内领先的功率半导体器件,如需样品,欢迎与我们联系 sales@jsab-tech.com 。

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安建半导体推出全新的150V SGT MOSFET产品平台
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