安建半导体 SGT MOSFET 采用先进热性能封装 TOLT, DFN5x6 DSC ，针对大电流高功率应用

       近年來，工业及消费市场对于系统的要求不断提高，为达到更优秀的效率、可靠性及热性能，MOSFET作为功率核心部件担当着非常重要的角色。安建半导体为满足不断发展及增长的解决方案需求，除了在传统直插式封装，如TO-220及TO-247，及性能较高的贴片式封装，如TOLL及TO-263，中奠定良好基础外，更引入了先进热性能封装技术，采用顶部散热设计「TOLT」，及双面散热设计「DFN5x6 DSC (Dual Side Cooling) 」为市场提供更卓越的SGT MOSFET产品系列。

1. 封装设计

      TOLT是表面散热的引脚型TO封装，与同样有高电流、高功率密度的TOLL封装相比，TOLT将汲极直接暴露于表面，透过将散热片置于表面，使绝大部分的热量不需透过PCB，以更直接的方式传至散热片，降低传统底部散热封装（例如TOLL及TO-263等）透过PCB传热时所产生的功耗。TOLT通过优化散热和热传导路径，不但可以提升整体系统热性能，更为客户设计PCB及考虑散热方案时提供更灵活的方案

封装示意图

       DFN5X6 DSC是双面散热型封装，与同样POD的单面散热DFN5X6相比，DFN 5X6 DSC在保留汲极的底部散热面的同时，将表面的铜夹片外露，使DFN5X6 DSC可同时透过底部PCB和顶部外露铜夹片，配合散热片同时散热。 DFN 5X6 DSC可以大幅降低整体器件热阻，从而降低系统工作温度，提高其稳定性及延长器件的使用寿命。DFN 5X6 DSC以达到极致的功率密度，为高热性能及功率要求的客户提供更优秀的方案。

封装示意图

2. 产品优势及应用领域

       在电力电子领域，MOSFET 通常是表面贴装 (SMD)，采用DFN 5x6, TO-263 和 TOLL 等封装类型。SMD安装是首选技术，因为作为一种紧凑的解决方案，它具有良好的性能以及自动放置和焊接的便利性。然而，SMD元件的散热并不理想，因为热传播路径通常穿过印刷电路板 (Fig. 1)。

Fig. 1 传统底部散热封装的散热路径

       安建半导体推出新型TOLT和DFN 5X6 DSC 封装中器件的热路径是向上的，因此散热器位于MOSFET上方 (Fig. 2)，能将功率器件、栅极驱动器和其它元件等元件放置在电路板底部的释放区域。这能使用更小的PCB。这种更紧凑的布局还能实现更短的栅极驱动器走线，这在工作中是一个优势。

Fig. 2 顶部散热封装位于封装顶部的散热器，从而改善布局和散热路径

       由于热量不再需要通过PCB，因此电路板本身保持较低温度，MOSFET附近的元件在较低温度下工作，因此更可靠。顶部冷却封装提供了更好的热响应，每瓦功耗的温升较低，能在预定的最大结温升高下以更大的功率运行。最终，采用顶冷封装的相同MOSFET芯片比采用标准SMD封装的相同芯片具有更高的电流和性能能力。

2. 推荐型号及POD

      安建半导体致力于为客户提供国际一流、国内领先的功率半导体器件，如需样品，欢迎联系sales@jsab-tech.com。