安建半导体持续扩充120, 150, 200V SGT中高压MOSFET产品平台

JSAB安建科技 JSAB安建科技 2024-11-12 30 276

圖片1

      安建半导体 (JSAB) 继年初推出业界领先的150V SGT MOSFET 产品平台,同年已将中高压平台扩充至120V 及200V,平台沿用先进的技术和设计,提供了卓越的开关特性和低导通电阻,实现了高效的能源转换和低能耗操作。年初推出的150V平台已在不同应用及客户之间取得认可,达到成熟量产阶段,新产品能同样广泛应用于通信和数据中心服务器电源、叉车和轻型电动车低压电机驱动器以及电池管理系统(BMS)。

1.  产品性能

      1. 优化FOM (Figure of Merit):极低导通及开关损耗,适用于高载频及高功率工况,提供高效的能量转换和节能效果。

      2. 高可靠性:-55 ~ 175 ℃ 工作范围,卓越的可靠性与耐用性,全面满足工业级标准。

      3. 高抗冲击能力:低热阻,高雪崩能力,满足高电流及瞬间关断时的要求。

      4. 良好一致性:支持多管并联应用。

2. 技术特点

      JSAB 120V SGT MOSFET优化了元胞尺寸 (Pitch) 及基板 (Substrate) ,在确保最低120V的击穿电压基础下,大幅降低电阻,优化大电流工作时的可靠性及系统温度。与当前可用的器件相比,这些新MOSFET的导通电阻RDS(on) 降幅高达26%,非常适合采用大功率或96V电池的工业电机驱动或电池管理系统 (BMS) 应用。

      JSAB 150V及200V SGT MOSFET同样采用深沟槽技术,透过优化漂移区 (Drift region) 及基板 (Substrate) 阻抗,能以相同芯片大小,达到更低的FOM (RDS(on) x Qg),大幅降低开关损耗及导通损耗。可替换国外一流进口品牌,非常适用于工业电机驱动或可在服务器、电源等高频开关应用领域。

3. 推薦型號

640.png

       综上所述,JSAB 中高压SGT平台产品能够完全媲美国际一流进口品牌的性能,非常适用于工业电机驱动或电池管理系统等应用领域。 JSAB亦会持续扩充高性能,高质量产品,并完善同平台产品线。 JSAB有能力也有信心接受客户严苛的测试和检验,如需样品,欢迎与我司联系。

       安建半导体致力于为客户提供国际一流、国内领先的功率半导体器件,如需样品,欢迎联系sales@jsab-tech.com。

Share
30
安建半导体 SGT MOSFET 采用先进热性能封装 TOLT, DFN5x6 DSC ,针对大电流高功率应用
正在更新中...
回到顶部