安建半导体推出第二代30V极低电阻DFN系列MOSFET，共创高频高效新纪元

安建半导体推出第二代30V极低电阻DFN系列MOSFET，共创高频高效新纪元

安建半导体(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET产品平台，融合国内尖端技术与设计，开创功率密度新高度，在开关特性和导通电阻等关键参数方面达到行业巅峰，助力高效能源转换和低能耗运行。这一平台不仅适用于高功率高要求领域，更能显著提升常规应用的整体效率，削减能源开支并延长系统寿命，凭借卓越性能赢得市场竞争优势。平台已于上年初量产，广泛应用于工业开关模式电源(SMPS)、中小型低压电机驱动器(BLDC)和电池管理系统(BMS)。

1.  产品性能

1. 市场领先FOM (Figure of Merit)：极低导通及开关损耗，适用于高载频及高功率工况，提供高效的能量转换和节能效果。

2. 高可靠性：卓越的可靠性与耐用性，严格通过一系列JEDEC国际标准测试。

3. 出色冲击能力：低热阻，高雪崩能力，满足高电流及瞬间关断时的要求。

4. 优异良好一致性：支持多管并联应用。

2. 竞品对比(参数)

FOM包括了MOSFET最关键的性能指标 : 导通电阻 ( RDS(on) ) 及闸极电荷 ( Qg )。较低的导通电阻代表MOSFET在导通状态下具有更低的功耗和更高的效率。较低的闸极电荷代表MOSFET可以更快地在导通和截止之间切换，从而减少功耗和提高性能。JSAB 第二代30V与第一代30V相比，FOM及Ron数值大幅下降了20% 和 30%。彰显JSAB产品的领先地位，具备成为出色替代或新开发方案的强有力竞争者的潜力。

3. 竞品对比(应用)

JSAB 第二代30V SGT MOSFET已在不同客户中通过严苛的测试和检验，成功在国内外竞争者中突围而出。在工业用电源的温升测试中，比国内相近竞品低10°C以上，表现出优秀的热性能及提高整体系统可靠性，实现极高效的能源转换。该产品展现出优秀性能，提高整体效率，降低能源成本并延长系统的工作寿命。

4. 技术特点

JSAB 第二代30V SGT MOSFET采用極小元胞尺寸及短溝道技术，全面优化设计，达到極低的FOM (RDS(on) x Qg)，大幅降低开关损耗及导通损耗，超越国外一流顶尖品牌规格。此外JSAB 第二代30V SGT MOSFET更推出了雙面散熱式封装，可以有效地将器件发热部分的热量传导到散热片上，从而提高散热效率。这种封装适合高功率密度的应用，能够更好地控制温度并提高器件的可靠性。

5. 推薦型號

安建半导体致力于为客户提供国际一流、国内领先的功率半导体器件，如需样品，欢迎联系sales@jsab-tech.com。