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SiC-Diode

  • 低导通压降

  • 无反向恢复电荷

  • 高抗浪涌能力

  • 高雪崩耐量

  • 高可靠性

安建科技现已开发出1200V耐压等级碳化硅二极管(SiC diode),由安建科技自主研发设计并掌握相关知识产权,采用独特的元胞和终端设计,实现了导通压降(VF)和击穿电压(BV)间更好的折中,同时,拥有更好的抗浪涌能力,雪崩耐量和可靠性。

基于SiC diode导通压降低,反向恢复电荷少的特点,其主要应用于通信电源、服务器电源,电动汽车,充电桩,光伏等。

ProductPackageVRRMIFQcIFSMDatasheet
VAnCA
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JDH20B120PJTO-247120010121135
JDP20B120PJTO-220120010121135

600V SiC diode: In Progress.

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SJ-MOS
汽车级 SGT-MOS
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