SiC-Diode

安建科技现已开发出1200V耐压等级碳化硅二极管（SiC diode），由安建科技自主研发设计并掌握相关知识产权，采用独特的元胞和终端设计，实现了导通压降（VF）和击穿电压（BV）间更好的折中，同时，拥有更好的抗浪涌能力，雪崩耐量和可靠性。

基于SiC diode导通压降低，反向恢复电荷少的特点，其主要应用于通信电源、服务器电源，电动汽车，充电桩，光伏等。