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技术支持
专注功率半导体器件的研发设计制造及提供完整的解决方案
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08
2021-11
JSAB IGBT产品可靠性
JSAB IGBT 通过采用独特的耐压结构设计,确保产品可靠性达到国际一流水平。JSAB 650V 及 1200V IGBT 芯片均已通过业内最高标准的 175℃, 1000小时高温反偏 (HTRB、HTGB) 老化加速可靠性测试 。
JSAB
IGBT
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07
2021-11
JSAB SGT-MOS UIS 性能
JSAB 型号:JMM5770N 规格:40V/1.4mΩmax(@Vgs=10V),如上图,JMM5770N雪崩电压可达~60V,并可以安全通过200us以上动态雪崩测试,体现出很好的雪崩耐量能力,非常适合用于Power tools、SMPS等应用。
JSAB
SGT-MOS
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05
2021-11
安建JSAB IGBT在工业变频的应用案例
产品测试结果:9kW变频器温升对比测试,测试条件:9kW工况,载波频率5kHz,稳定后逐步增加负载至110%、120%,环温16℃在相同工况条件下,JSAB IGBT可以实现比某国外知名品牌对应型号产品更低的温升,这是得益于JSAB IGBT更低的导通和开关损耗。
JSAB
IGBT
工业变频
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04
2021-11
安建JG1B35P120FG2在伺服驱动的应用案例
应用:6A 伺服驱动器应用,JSAB型号:JG1B35P120FG2,测试条件:6A/9A工况下,载波频率16kHz,进行温升测试。在相同工况条件下,JSAB PIM模块在同条件下测试温升比某国外知名品牌同规格低3℃以上,表现出更好的温升特性以及耐用性。
JSAB
IGBT
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03
2021-11
安建科技JHH40N120HA在工业电焊上的应用案例
应用:10kW 工业电焊机 JSAB型号:JHH40N120HA;JHH40N120HA对比某国外知名品牌同规格产品,JHH40N120HA的导通及开关损耗都要低,实际测试温升低10%; 2、得益于安建先进的芯片设计技术,可以实现更高的系统效率和更低的温升。
JSAB
IGBT
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02
2021-11
安建科技SGT-MOS在DC-DC 转换应用案例
JSAB 型号:JMM4716+JMM4812N,工作频率:400kHz,输出电流:20A,得益于先进的SGT产品设计,安建科技的SGT-MOS 可以实现更低的Ciss+Coss,在高频PWM工作条件下系统效率可以得到更好的提升。
JSAB
SGT-MOS
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