安建半导体
「安建半导体」获1.8亿元B轮融资,抓住半导体功率器件的中国机遇

「安建半导体」获1.8亿元B轮融资,抓住半导体功率器件的中国机遇

所有电力设备都需要用到的半导体功率器件,目前我国已有通过国际标准验证的量产产品。文 | 郑灿城编辑 | 高雅36氪获悉,半导体功率器件厂商「安建半导体」已于近日获1.8亿元···
公司新闻 2022-05-17 3240 15
中山汉臣电子科技有限公司

中山汉臣电子科技有限公司

安建科技集团附属公司地址:广东省中山市火炬开发区康乐大道51号张企大厦东翼第五层510室电话:+86 (760) 8858 0339
联系我们 2021-11-08 1126 12
安建科技有限公司

安建科技有限公司

地址:香港沙田科学园科技大道西16号16W大楼912-913室电话:+852-3611 7567传真:+852-3613 0728邮箱:sales@jsab.com.hk
联系我们 2021-11-08 1411 12
安建科技(深圳)有限公司

安建科技(深圳)有限公司

地址:深圳市宝安区宝兴路21号万骏经贸大厦1108-1111室电话:+86 (755) 2267 0460邮箱:sales@jsab.com.hk
联系我们 2021-11-08 1007 12
SiC-Diode

SiC-Diode

安建科技现已开发出1200V耐压等级碳化硅二极管(SiC diode),由安建科技自主研发设计并掌握相关知识产权,采用独特的元胞和终端设计,实现了导通压降(VF)和击穿电压(BV···
产品中心 2021-11-07 5665 13
SJ-MOS

SJ-MOS

安建科技现已开发出600V~650V耐压等级超级结(Super-junction , SJ) MOSFET ,由安建科技自主研发设计并掌握相关知识产权,采用深沟槽工艺,为国内目前元胞尺寸最小的SJ-MOS···
产品中心 2021-11-07 7345 13
SGT-MOS

SGT-MOS

安建科技推出的SGT-MOSFET采用国际先进的工艺技术,由安建科技自主研发设计,由顶尖晶圆代工厂加工制造,目前已开发出25V~100V的SGT-MOS平台,正在开发150V SGT-MOS平台。安···
产品中心 2021-11-07 9388 17
IGBT单管

IGBT单管

安建科技推出的IGBT采用先进的沟槽-场截止型(Trench-FS)结构,由安建科技自主研发并掌握相关知识产权。采用”Taiko”薄片晶圆加工技术,创新的精细沟槽结构,降低芯片导通及···
产品中心 2021-11-07 10126 15
IGBT模块

IGBT模块

安建科技推出的IGBT采用先进的沟槽-场截止型(Trench-FS)结构,由安建科技自主研发并掌握相关知识产权。采用”Taiko”薄片晶圆加工技术,创新的精细沟槽结构,降低芯片导通及···
产品中心 2021-11-07 12083 26
企业文化

企业文化

安建科技致力于成为大中华区技术上最顶尖的功率半导体元器件企业
关于安建 2021-11-07 4083 12
回到顶部