公司简介

安建科技有限公司 (JSAB Technologies Limited) 是一所专门从事功率半导体元器件产品设计、研发及销售的高科技公司。安建科技集团总部位于中国香港，并在广东省深圳市和中山···

关于安建 2021-11-12 10339 12

IGBT模块

安建科技推出的IGBT采用先进的沟槽-场截止型(Trench-FS)结构，由安建科技自主研发并掌握相关知识产权。采用”Taiko”薄片晶圆加工技术，创新的精细沟槽结构，降低芯片导通及···

产品中心 2021-11-11 20572 28

创始人简介

安建科技创始人–单建安教授背景:加拿大多伦多大学电机工程学学士、硕士及博士香港科技大学电子与计算机工程学系教授美国电子电气工程师学会院士(IEEE Fellow)主要经历:业内···

关于安建 2021-11-11 10970 12

IGBT单管

安建科技推出的IGBT采用先进的沟槽-场截止型(Trench-FS)结构，由安建科技自主研发并掌握相关知识产权。采用”Taiko”薄片晶圆加工技术，创新的精细沟槽结构，降低芯片导通及···

产品中心 2021-11-10 14995 16

企业文化

安建科技致力于成为大中华区技术上最顶尖的功率半导体元器件企业

关于安建 2021-11-10 6316 12

安建科技有限公司

地址：香港沙田科学园科技大道西16号16W大楼912-913室电话：+852-3611 7567传真：+852-3613 0728邮箱：sales@jsab.com.hk

联系我们 2021-11-09 2545 12

SGT-MOS

安建科技推出的SGT-MOSFET采用国际先进的工艺技术，由安建科技自主研发设计，由顶尖晶圆代工厂加工制造，目前已开发出25V~100V的SGT-MOS平台，正在开发150V SGT-MOS平台。安···

产品中心 2021-11-09 14346 17

JSAB IGBT产品可靠性

JSAB IGBT 通过采用独特的耐压结构设计，确保产品可靠性达到国际一流水平。JSAB 650V 及 1200V IGBT 芯片均已通过业内最高标准的 175℃, 1000小时高温反偏 (HTRB、HTGB) 老···

产品技术 2021-11-08 3644 12

SJ-MOS

安建科技现已开发出600V~650V耐压等级超级结(Super-junction , SJ) MOSFET ，由安建科技自主研发设计并掌握相关知识产权，采用深沟槽工艺，为国内目前元胞尺寸最小的SJ-MOS···

产品中心 2021-11-08 11110 13

JSAB SGT-MOS UIS 性能

JSAB 型号：JMM5770N 规格：40V/1.4mΩmax(@Vgs=10V)，如上图，JMM5770N雪崩电压可达~60V，并可以安全通过200us以上动态雪崩测试，体现出很好的雪崩耐量能力，非常适合用于···

产品技术 2021-11-07 3083 12