首页
关于安建
产品中心
IGBT模块
IGBT单管
SGT-MOS
汽车级 SGT-MOS
SJ-MOS
SiC-Diode
应用领域
工业控制
变频家电
新能源
电动汽车
消费电子
电源转换
技术支持
产品技术
应用案例
新闻资讯
新品推介
公司新闻
行业资讯
联系我们
联系我们
加入我们
中文
/
EN
关于安建
JSAB : Johnny Sin And Buddies, 单建安和他的伙伴们
SiC-Diode.html
SiC-Diode
(
1
)
SiC-Diode
安建科技现已开发出1200V耐压等级碳化硅二极管(SiC diode),由安建科技自主研发设计并掌握相关知识产权,采用独特的元胞和终端设计,实现了导通压降(VF)和击穿电压(BV···
产品中心
2021-11-07
8415
13
<
1
>
最新文章
安建半导体持续扩充120, 150, 200V SGT中高压MOSFET产品平台
安建半导体 SGT MOSFET 采用先进热性能封装 TOLT, DFN5x6 DSC ,针对大电流高功率应用
热门文章
1
新品推介 | 应用于200kW及以上光伏逆变系统的1000V-400A ANPC三电平模块
2
安建科技创始人谈半导体行业的匠心精神,坦言未来一定是中国的
3
半导体产业新势力
4
「安建半导体」获1.8亿元B轮融资,抓住半导体功率器件的中国机遇
5
安建半导体董事长兼总裁单建安教授受邀出席第35届ISPSD峰会
6
安建科技(深圳)有限公司荣获深圳宝安创新创业大赛三等奖
7
安建科技(深圳)有限公司荣获中国创新创业大赛全国总决赛优秀企业奖
8
JSAB产品推介 - 1200V-600A/450A 大功率模块
9
香港创新科技及工业局局长孙东教授於2023年3月3日到访我司於香港科学园之研发中心
10
安建科技(深圳)有限公司集团始创人单建安教授获颁发十大优秀企业家奖
Tags
JSAB
安建科技
安建半导体
IGBT模块
IGBT单管
SGT-MOS
SJ-MOS
SiC-Diode
IGBT
工业变频
第三代半导体
36氪
回到顶部
0755-2267 0460
sales@jsab-tech.com