安建首发-七层光罩12英寸第七代IGBT

JSAB安建科技 JSAB安建科技 2023-12-06 12 330
背景介绍

依托于光刻机的光罩(Litho)工艺是半导体芯片加工流程中的核心工艺,光罩的层数是影响半导体芯片工艺复杂度及加工成本的关键指标。当代沟槽-场截止型IGBT一般采用9-10层光罩进行加工。安建早于2019年即在国内顶尖8-inch晶圆厂成功开发并量产了仅采用7层光罩工艺的第七代沟槽-场截止IGBT技术,是国内第一家量产第七代IGBT的国产厂家,并完全拥有相关自主知识产权。


技术突破

近期,安建将自有专利的第7层光罩工艺流程成功转移至国内顶级12-inch IGBT加工平台,也是国内首家推出基于7层光罩工艺的12-inch第七代IGBT的国产厂家。此项技术突破表征了安建在国内IGBT芯片及加工工艺设计方面的双重技术领先优势。


产品特点

下图为安建采用7层光罩工艺的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圆。


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光罩层数的减少并未对器件性能、坚固性及可靠性造成任何影响。下图为采用上述晶圆封装的第七代1200V-25A PIM模块,型号为JG1A25P120DG2(pin-to-pin兼容国外进口的第七代EasyPIM-1B™模块)。相应的模块产品已通过工业变频及伺服驱动等客户测试认证。

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相应模块在某知名客户4kW高频电机变频器(载频16kHz)完全通过各类极限工况测试,测试结果如下:


驱动波形:


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相间短路波形:


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1s急减速测试波形:


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安建半导体致力于为客户提供国际一流、国内领先的功率半导体器件,如需样品,欢迎与我们联系 sales@jsab-tech.com 。

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