SiC MOSFET

安建科技现已开发出1200V耐压等级碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET），由安建科技自主研发设计并掌握相关知识产权，采用最先进的沟槽栅元胞尺寸和优化的终端设计，实现了超低导通电阻（RDS(on)）与高击穿电压（BV）间的卓越折中，同时兼具极低的栅极电荷（Qg）、出色的开关特性、优异的抗短路能力及高可靠性。

基于SiC MOSFET导通电阻低、开关损耗小、无反向恢复电荷、高温特性稳定的优势，其主要应用于新能源汽车电驱系统、光伏逆变器、储能系统、充电桩、服务器电源、通信电源及工业变频等领域。