安建推出新一代快恢复 SGT-MOS（R 系列）：Qrr 骤降 78%，助力高效电源高频化演进

在通信电源、数据中心服务器以及高功率密度工业电源等应用中，硬开关与高频拓扑对功率 MOSFET 体二极管（Body Diode）的反向恢复特性提出了极高要求。体二极管的反向恢复电荷 (Qrr) 与反向恢复时间(Trr) 过高，不仅会导致开关损耗剧增、效率下降，还会激发严重的电压震荡 (Ringing) 与过冲尖峰，甚至引发 EMI 兼容性难题。

为了解决这一技术痛点，安建正式发布最新一代“快恢复 SGT-MOS（R 系列）”功率器件。该系列产品通过优化少数载流子寿命，实现了超低的 Qrr和 Trr 表现，为高频、高效及高可靠性电源平台带来突破性的性能提升。

一、 技术突破：优化少数载流子寿命， 直降 78%

传统 SGT（屏蔽栅沟槽技术）MOSFET 在体二极管续流关断过程中，内部存储的少数载流子需要被快速抽取，从而产生明显的反向恢复电流与电荷。

JSAB R 系列快恢复 SGT-MOS 采用了全新的少子寿命控制与优化技术。在相同测试条件下（Vr = 100V, Is = 50 A, dI/dt = 100 A/μs），与上一代标准产品相比：

• 反向恢复时间（Trr）：下降 22%；

• 反向恢复电荷（Qrr）：相对显著降低约 78%
  
  

实测波形对比分析（JKMAS01NNC vs JKMAS01NNCR）

测试条件: Vr = 100V, Is = 50 A, dI/dt = 100 A/μs

通过双脉冲测试波形对比，上一代型号 JKMAS01NNC 在关断瞬间表现出较大的反向恢复电流峰值与较长的拖尾时间；而全新快恢复型号 JKMAS01NNCR 的反向恢复电流负向峰值大幅收敛，电流归零速度显著加快。

在 150V~200V 中高压 MOSFET 领域，主流竞品多聚焦于通过缩小晶圆面积降低导通电阻（Rdson）与栅极电荷（Qg）。然而在硬开关拓扑及高频 LLC/移相全桥中，体二极管的 Qrr 往往是决定系统能效上限与电压过冲的真正瓶颈。

实测波形对比分析（竞品比较）

测试条件: Vr = 100V, Is = 50 A, dI/dt = 100 A/μs

与竞品相比，JSAB R 系列通过 78% 的 Qrr 剧降（达到行业领先水平），不仅降低了主开关管在开通瞬态下的硬扛应力，更可极大简化 RC/RCD 吸收电路, 让系统工程师在无需大幅增加 BOM 成本和 PCB 空间的前提下，轻松突破电源的高频化与高功率密度瓶颈。

二、 核心价值：三大工程红利释放设计潜能

相对降低 78% 绝不仅仅是数据上的提升，更能在实际电路设计中转化为三大直接的工程优势：

1. 过冲电压有效抑制

反向恢复电荷（Qrr）是开关节点寄生振铃（Ringing）的主要能量来源。Qrr大幅减少后，的关断电压尖峰自然回落，电路无需再为极限极端工况预留过重的缓冲冗余（Snubber Circuit），可适当简化吸收电路设计并降低功耗。

2. 开关损耗显著降低

在桥式拓扑中，续流二极管反向恢复期被抽走的电荷越少，主开关管在开启瞬间需要硬扛的电流冲击和交越重叠损耗就越小。这对于追求高频化、高功率密度的电源系统来说至关重要。

3. EMI 兼容性全面提高

开关节点振铃幅度的减小与高频谐波分量的衰减，从源头上缓解了传导与辐射干扰（EMI），极大地减轻了前级 EMI 滤波器的设计压力与体积成本。

三、 产品规划与应用场景

本次推出的 R 系列快恢复 SGT-MOS 率先覆盖 150V 与 200V 两个关键耐压等级，精准切入高性能电源转换需求：

• 同步整流（SR）：特别适用于 LLC 谐振转换器、移相全桥（PSFB）等 AC/DC 电源平台的副边同步整流侧，可大幅提升整机满载及半载转换效率；

• 电信与服务器电源模组：专为 5G 通信基站电源、DC-DC 砖式电源模组以及要求紧凑散热结构的高效服务器 PSU 打造。

四、推荐型号

五、 结语

安建半导体(JSAB) 新一代快恢复 SGT-MOS（R 系列）凭借其优异的 抑制能力、更小的 以及更宽的安全运行边界，为下一代高频数字电源与通信电力系统提供了强有力的核心功率器件支持。

安建半导体致力于为客户提供国际一流、国内领先的功率半导体器件，如需样品，欢迎联系sales@jsab-tech.com。